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在净化工程中洁净室内的温度和气压如何控制

  1、洁净室中的温湿度的控制
  洁净空间的温湿度主要是根据工艺要求来确定,但在符合工艺要求的条件下,应考虑到人的感受。随着空气洁净度要求的提高,出现了工艺对温湿度的要求也越来越严的趋势。
  具体工艺对温度的要求以后还要列举,但作为总的原则看,由于加工精度越来越细,所以对温度波动范围的要求越来越小。例如在大规模集成电路生产的光刻曝光工艺中,作为掩膜板材料的玻璃与硅片的热膨胀系数的差要求越来越小。
  直径100 um的硅片,温度上升1度,就引起了0.24um线性膨胀,所以要有±0.1度的恒温,同时要求湿度值一般较低,因为人出汗以后,对产品将有污染,怕钠的半导体车间,这种车间不宜高于25度。
  湿度过高的话,所产生的问题也会有很多。相对湿度大于55%时,冷却水管壁上会结露,如果发生在电路中,就会引起事故。相对湿度在50%时易生锈。此外,湿度太高时将通过空气中的水分子把硅片表面粘着的灰尘化学吸附在表面很难清理。
  相对湿度越高,粘附就很难去掉,但当相对湿度低于30%时,又由于静电力的作用使粒子也容易吸附于表面,同时大量半导体器件容易发生击穿。对于硅片生产温度范围为35—45%。
  2、洁净室中的气压规定
  对于大部分洁净空间,为了防止外界污染侵入,需要保持压力(静压)高于外部的压力(静压)。压力差的维持一般应符合以下原则:
  (1)洁净空间的压力要高于非洁净空间的压力。
  (2)洁净度级别高的空间的压力要高于相邻的洁净度级别低的空间的压力。
  (3)相通洁净室之间的门要开向洁净度级别高的房间。
  压力差的维持依靠新风量,这个新风量要能补偿在这一压力差下从缝隙漏泄掉的风量。所以压力差的物理意义就是漏泄风量通过洁净室的缝隙时的阻力。
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